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产品型号 产品名称 简要说明  
HMC1023 磁阻传感器 型号如:HMC1023、HMC1021Z、HMC1001等  
HW302B 磁阻传感器 请下载详细技术资料  
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HMC6352 磁阻传感器 请下载详细技术资料  
HMC1053 磁阻传感器 型号如:HMC1053、HMC1052等  
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1383 磁阻传感器 请下载详细技术资料  
NS-30 磁阻传感器 详细资料请下载技术文档  
SEN-L 磁阻传感器 详细资料请下载技术文档  
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muRata 村田制作所村田磁性识别传感器资料目录下载

用于纸币的识别
单副素子串联类型

 
标准类型    
MRS-F-21 MRS-F-41 MRS-F-51

 
高输出类型    
MRS-G-21    

 
检测宽度6mm
高灵敏度
   
MRS-H-21    

 
检测宽度9mm
 
   
MRS-137A    


多副素子串联类型

 
MRS-133 MRS-134


用于编码器
模数0.4

 
MRS-09S MRS-13


纸币的识别摸数
用于中国纸币的识别

 
MRM-100  


用于美国和欧元纸币的职别

 
MRM-200  

MR传感器的技术情报

 
特点

使用磁阻效应元素(MR元素)的传感器,根据电压的变化能检测出磁场的变化和磁性体的有无。
磁阻效应...固体电阻随磁场变化的现象。

 

根据MR传感器和被测体之间的间距的变化输出电压变化

各磁头是有差异的,即使MR传感器与被测体的间距为0.3mm,也能获得50%的信号。
 

図1

図2
MR传感器电阻值的温度特性

因为MR传感器使用的是化合物半导体的InSb,这个电阻值是随温度变化的,其变化率约-2%/℃。

 

MR传感器输出电压的温度特性

MR传感器的输出电压受温度的影响,其输出电压的温度特性在室温附近的变化率约为-0.6%/℃

図3

 

 


图1
纸币的磁模拟信号的读取

MR传感器最擅长的就是对磁粉印刷的模拟信号的读取。
所谓磁粉印刷就是印刷液里配有磁性粉末。世界各国的纸币就都含有磁粉印刷。
但是、纸币的磁粉印刷中包含的磁性体非常少、因此纸币不会被磁铁吸上,所以磁性体的存在一般不被人所知。
MR传感器对磁粉印刷的纸币是怎么作出反应而检测出来的呢?
上面表示的文字,就是被信息处理后的文字。这个文字是根据JIS X9002规格而规定的(E13B型)文字。
JIS X9002即「磁性墨粉文字读出用字体以及印字模型」的规格。当然、MR传感器的检知面在采用这个规格进行了磁印刷的E13B型文字上一通过、MR传感器的输出端就会呈现图2那样的信号。

 

图2

图3
尽管磁的变化非常小,但是MR传感器还是可以很清楚地检测出来、所用电路图如图3所示。
磁粉印刷的模拟信号的读取是不太让人容易理解的,下面举个较直观的例子加以说明。

 

纸币的磁模式

 


图4

我们利用MR传感器来观察纸币、在这里以1$美元纸币为例。请看图4、以对角线为界、纸币的实物照片(对角线的上左方)和磁模式的画面(对角线的右下方)。从图4中很容易区分印刷画面和所测出的磁信号画面。
在自动销售机等装有纸币的机器中,使用MR传感器可以检测纸币的真伪。

 

磁传感变换器

MR传感器的另一个用途、可用来检测旋转速度和位置。这里间隔地放置四个MR元素搭成桥电路、将旋转齿轮靠近MR传感器、如图5所示。


图5
这样做、从二个输出端可以得到图6照片这样的信号。

图6
可以看出二个的信号Va和Vb有相位差。
此信号是正弦波,波形的一个周期对应齿轮的一个齿数、一定时间内的波形周期数除以齿数得到一定时间内的转数。
另外,Va和Vb之间的相位错位关系与转动方向有关。分析两个信号的相位超前滞后的关系,便可知道齿轮是正转还是反转。
这个磁传感变换器是用于控制精密发动机转动的。如果不知道发动机机轴的转速和转动位置,就不可能精确有效地进行控制。为此,精密机械主轴用的驱动马达中常采用反应速度快,防油能力强的MR传感器。

 

电位器

通常的电位计,因为有机械接触点,会由于摩耗和灰尘的缘故、使电阻值有不连续变化的可能性。
而MR元素的电位器没有接点,电阻值变化是随磁场变化而变化的。所以、常用于在调整中需要连续变化的可变电阻中。

 

 

 


图A
关于MR传感器是如何检测出磁墨粉等磁性体的原理,简单地给以说明。
磁阻效应元素(以下称MR元素),由于磁阻效应,其电阻值随磁场变化而变化。
图A所表示的是MR元素的电阻值随磁场变化的情况、从图中可看出电阻值随磁场强度的变化而变化,与磁场的方向没关系。
从具有这种特性的MR元素中,选择特性接近的元素(MR1,MR2)、将其串联连接。
利用磁铁在二个MR元素上加均等磁场、把二个MR元素的相接处作为输出端、这个输出端的电压称为输出电压。请参看右图。
给两个MR元素加电源电压V,输出端的电压应是1/2电源电压V、我们称这个电压为中心电压。

图B

图C
如果给二个MR元素加不同强度的磁场时,则元素的电阻值会不同,因此输出电压值也就不等于中心电压值了。
比如将图B中的MR1的磁场增大,则MR1电阻值就会比MR2的电阻值大,则输出电压值将小于中心电压值。相反,将MR2的磁场增大,则输出电压值将大于中心电压值。
与此相同,磁性体检测时的情况也是这个道理。例如作为磁铁的磁性体靠近二个MR元素中的其中一方(例如MR2),则磁力线集中于磁铁这边,这时MR2的磁场要比MR1的大、这样MR2的电阻值就比MR1的大,输出电压则大于中心电压。请参看图C。
下面的连续图Fig.1到Fig.3表示的是磁性体在MR传感器前面被移动的情况。
MR传感器的输出电压是如何变化的、请看下面的曲线图。
这个图表示的是磁性体在MR传感器前面被移动时、输出电压的变化情况。
下面的曲线图中、Fig.1到Fig.3的箭头符号是对应于上图中磁性体和MR传感器的位置关系的。
注意:
这个输出电压变化关系图,是对于小面积磁性体的情况而言的。对于大面积磁性体将二个MR元素同时覆盖时的情况会与此稍有不同。 以上、简单地说明了MR传感器检测出磁墨粉这种磁性体时,输出电压变化的情况。

半导体磁敏传感器 MRS-F-21

PHOTO MRS_F06

用途
磁性油墨印刷物的识别
,例:人民币
检测AC,DC电流
特点
MR传感器是由InSb单结晶制成,感度高,SN比好.
被检体不必紧密接触传感器也可以检测.
输出电压值与磁性体的移动速度无关.
被检部是纯电阻,抗诱导干扰能力强.
体积小,安装方便.

最大额定值 (Ta=25℃)

项目

记号

额定值

单位

最大外加电压

Va max

5.5

V

绝缘耐压

Vi

100

V

容许损失

PD

44

mW

工作环境温度

opg

-30~+85

保存环境温度

stg

-30~+85

电力的特性 (Ta=25℃)

项目

记号

条件

min.

Typ.

Max.

单位

输出电压

V0

Va=5V *1

0.16

---

0.42

mVrms

电极电阻

R(MR1+MR2)

I=1mA

700

---

4500

Ω

中点对称性

d

I=1mA *2

---

---

30

%

内部杂音

VNW

Va=5V

---

---

50

μVp-p

压电杂音电压

VNP

Va=5V, press.=10g

---

---

300

μVp-p

检测面磁通密度

B

---

---

0.075

---

T (S Pole)

检测宽度

W

---

---

---

3

mm

*1. 使用在φ0.1mm 的 导线上流过 50Hz 100mA(rms) 电流而产生磁通量.
*2. d=|MR1-MR2|/MR1(或者 MR2)×100

 

  磁敏元件/磁阻传感器

 

霍尔元件

ATS276,277

A3144

UGN3503

 

 

SS400

SS490

 

 

检钞、验钞

MRS-F-11

MRS-F-21

MRS-G-06

MRS-H-06

  磁场传感器

 

集成磁场

GMRB6

GMRC6

ZMY20

AD22151

  磁簧开关(干簧管)

 

日本ALEPH

HYR1002

HYR1003

HYR1532

HYR1554

HYR1555

HYR2003-1

HYR9001-1

 
俄罗斯MKA MKA-XXXX MKA-07101 MKA-10109 MKA-14103
MKA-16101 MKA-20101 MKA-50201  
日本OKI ORD229 ORD9216 ORD228VL  
ADI产品系列                                    磁场传感器
器件 后缀 管脚 电压范围
(V)
工作电流
(mA)
Trise/Fall
(µS)
共模域
(µT)
差模域
(µT)
低速范围
(RPM)
高速范围
(RPM)
工作点精度
(mm)
说明
AD22151 YR 8 4.5~6 10 3 0~400 4~75 15 4000 0~3.5 可设置增益,线性输出

 

 

 Infineon产品系列

型号 封装 电源电压(V) 方向精度 工作温度 类型 描述
GMR B6 6-SMD +5~+7 180 -40~+150 磁场方向而非密度 惠斯通电桥全桥
GMR C6 6-SMD +5~+7 360 -40~+150 磁场方向而非密度 两交叉半桥

 

 

 Zetex产品系列

器件 封装 电源电压(V) 典型输出电压
(mV/V)
典型桥阻抗
(Ω)
灵敏度
(kA/m)
最大偏移电压(mV/V) 内部磁体 描述
ZMY20 SOT223S 12V 20 1.7 4.7 ±1.0 输出电压与磁场强度成正比
ZMY20M SOT223S 12V 18 1.7 5.5 ±1.5 输出电压与磁场强度成正比

 

 

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